法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-02
授权
授权
2017-07-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20170112
实质审查的生效
2017-07-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170112
实质审查的生效
2017-05-17
公开
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2017-05-17
公开
公开
2017-05-17
公开
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机译: 用最小的栅氧化物损失进行多晶硅刻蚀后光刻胶和聚合物去除的方法
机译: 干刻蚀后干式去除SI表面损伤的装置
机译: 干刻蚀后干式去除SI表面损伤的装置