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宋超; 刘榕; 王江波;
华灿光电股份有限公司;
湖北武汉 430223;
氢氧化钾; 乙醇; ICP刻蚀; 去胶;
机译:光刻胶反应离子刻蚀后超临界二氧化碳辅助的氧化降解和聚合物残留的去除
机译:Low / c干法刻蚀后的光刻胶表征和湿剥离
机译:二维动态CA方法用于光刻胶刻蚀模拟的改进及其在SU-8光刻胶深紫外光刻模拟中的应用
机译:使用TiW作为抗反射涂层或阻挡金属对金属膜进行等离子刻蚀后去除光刻胶
机译:使用硅的氢氧化钾各向异性刻蚀制造的场发射器件。
机译:通过电沉积和选择性去除绝缘光刻胶来控制碳纤维微电极的电化学活性区域
机译:多孔锌电池电极氧化后氢氧化钾电解质的扫描电子显微镜研究。
机译:有机光刻胶去除成分,能够在硬烘烤,等离子刻蚀和高温灰化过程后有效去除光刻胶和光刻胶残留物
机译:用最小的栅氧化物损失进行多晶硅刻蚀后光刻胶和聚合物去除的方法
机译:去除蚀刻后和灰化的光刻胶残渣和大量光刻胶的成分
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