公开/公告号CN100339946C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-09-26
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第二十四研究所;电子科技大学;
申请/专利号CN200410104298.7
发明设计人 谭开洲;
申请日2004-12-22
分类号H01L21/00(20060101);
代理机构
代理人
地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
入库时间 2022-08-23 08:59:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-02-18
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-09-26
授权
授权
2006-03-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-01-18
公开
公开
机译: 具有高击穿电压,低导通电阻和小的开关损耗的功率半导体器件及其形成方法
机译: 具有高击穿电压,低导通电阻和小的开关损耗的功率半导体器件及其形成方法
机译: 击穿电压高,导通电阻低,开关损耗小的功率半导体器件