首页> 中国专利> 小比导通电阻的集成化大电流功率器件结构的设计方法

小比导通电阻的集成化大电流功率器件结构的设计方法

摘要

本发明涉及一种小比导通电阻的集成化大电流功率器件结构的设计方法。包括对所述器件的电流处理元胞进行耐压设计,确定原始元胞的元胞尺寸、元胞间距和终端结构;将原始元胞转换成环形元胞;确定器件埋层和有源层单位长度电阻值;进行器件结构的电路等效,绘制等效电路图;绘制环形元胞圈数和与其对应的器件比导通电阻值间的关系曲线;确定合理的功率并联单元尺寸、形状;对功率并联单元进行并联连接和重复,获得所述器件的版图结构布局。使用该方法设计所述功率器件时,可对器件的比导通电阻进行有效控制,节省器件面积,是一种比同类器件制造结构的现有设计方法具有设计性能更好、更经济的大电流功率器件制造结构设计方法。

著录项

  • 公开/公告号CN100339946C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-09-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200410104298.7

  • 发明设计人 谭开洲;

    申请日2004-12-22

  • 分类号H01L21/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-02-18

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2007-09-26

    授权

    授权

  • 2006-03-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-01-18

    公开

    公开

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