机译:英飞凌使用垂直结构来优化功率MOS器件的导通电阻
机译:通过叠加方法对具有接口电荷的功率垂直High-k MOS器件进行建模-击穿电压和特定的导通电阻
机译:带电荷叠加技术的高功率绝缘体垂直功率双扩散金属-氧化物-半导体器件的闭式击穿电压/特定导通电阻模型
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:通过在硅垂直功率器件中引入应变来降低导通电阻的基础研究
机译:通过选择性地区MOCVD生长的异膜厚GaN层和垂直大功率器件
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化 ud用于高频和医疗设备
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长