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崔江; 陈一凡; 范士颖; 林华; 沈勇; 王友仁; 陈则王;
南京航空航天大学 江苏 南京 211106;
航空工业上海航空测控技术研究所 故障诊断与健康管理技术航空科技重点实验室 上海 201601;
碳化硅功率管; 导通电阻; 神经网络; 误差分析; 温度特性;
机译:通过器件仿真和SiC MOSFET导通电阻的温度依赖性来表征SiO_2 / 4H-SiC界面
机译:低导通电阻SiC Trench MOSFET和其他SiC功率器件的开发
机译:低导通电阻SiC EC MOS FET的SiC元件技术研究与开发
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:13.4 kV / 55 A SiC PiN二极管的理论和实验研究其在闭锁电压和差分导通电阻之间取得了较好的折衷
机译:一种改进的4H-SIC沟槽MOS屏障肖特基二极管,导通电阻较低
机译:4H-siC功率双极结晶体管,具有极低的特定导通电阻2.9 mOmega.cm2
机译:具有统一击穿电压和导通电阻特性的沟槽栅极累积模式SIC MOSFET自对准通道的制造方法
机译:基于单元导通特性的电阻式随机存取存储器的写验证和电阻状态确定
机译:MOS晶体管负载电流确定方法,其中测量晶体管温度并用于基于参考电阻值来计算导通电阻,从而能够确定负载电流
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