一种低导通电阻的SiC IGBT及其制备方法

摘要

本发明实施例提供了一种低导通电阻的SiC IGBT及其制备方法，涉及高压功率半导体器件技术领域，可以提高漂移区电导，可以降低器件的导通压降和导通电阻，从而减小正向导通功耗。所述碳化硅绝缘栅双极型晶体管包括：P⁺衬底(1)，N⁺缓冲层(2)，N^‑漂移区(3)，N⁺空穴阻挡层(4)，N⁺空穴阻挡层(5)，P阱区(6)，P⁺欧姆接触区(7)，N⁺源区(8)，SiO₂栅氧化层(9)，栅极(10)，发射极(11)，集电极(12)，P阱区(6)与N^‑漂移区(3)之间设置有横向N⁺空穴阻挡层(4)和纵向N⁺空穴阻挡层(5)，P阱区(6)和N⁺空穴阻挡层(4)和(5)均为恒定掺杂。