SiC要素技術研究と低オン抵抗SiC EC MOS FETの開発

摘要

1980年代末頃、筆者らはSiC単結晶関連の物理分析 や文献の調査をはじめ、その後、所属していた企業の研究 部門において廃棄処分の運命にあったセラミックス焼成炉 を改造して実質的に昇華法によるSiC単結晶の成長実験を 始めたのは1990年代初頭のことであった。研究初期に おいて、原材料粉末の精製、坩堝の設計、結晶成長雰囲気 の制御、結晶欠陥の評価、結晶中の不純物の低減、結晶の 歪低減、ウェハ化のためのインゴット切断技術、結晶表面 メカノケミカル研磨技術、ェピタキシャル成長など、半導 体デバイス用途を前提とした結晶関連の基盤技術を集中的 に研究した。引き続いて、トレンチエッチング、SiCの熱酸 化特性、SiO_2/SiC界面の電界効果特性、SiCへの高温イオ ン注入ドーピング、表界面欠陥の熱処理、これら諸特性の 結晶方位依存性、結晶欠陥密度とデバイスの劣化の関係な ど、トランジスタデバイスの実現に必要なプロセス基礎デ ータを集積した.