基于低压器件实现对高压电路的ESD保护的方法和电路

摘要

本发明公开了一种基于低压器件实现对高压电路的ESD保护的方法和电路，其中，所述方法包括：当电容C0接收到ESD脉冲时，产生充电电流，电阻R0上产生压降，控制第二PMOS晶体管MP1和第三PMOS晶体管开启；当通过第二PMOS晶体管MP1和第一NMOS晶体管MN0输出的输出电压Vb1为高电平，且，通过第三PMOS晶体管MP2和第一PMOS晶体管MP0输出的偏置电压Vb2为高电平时，开启第三NMOS晶体管MN2和第二NMOS晶体管MN1,泄放电流。通过本发明提高了芯片的ESD防护能力，保证了芯片的成品率和可靠性。