监控基区宽度的测试结构

摘要

本发明公开了一种监控基区宽度的测试结构，包含一个位于测试结构中间区域的哑铃型的图形；在哑铃图形的两端包含有发射极窗口，发射极窗口中间为发射极多晶硅窗口，窗口的中心为接触孔；定义哑铃图形轴向为X方向，垂直于X方向为Y方向；哑铃图形的两端的发射极窗口之间的X方向长度定义为L，哑铃图形手柄区的Y方向宽度定义为W；哑铃图形的外围是由多层逐级嵌套的矩形构成，位于最外圈的是基区多晶硅层，其他向内依次为发射极多晶硅层、发射极层、发射极多晶硅层、发射极多晶硅层。本发明所述的监控基区宽度的测试结构，在芯片级电测试阶段有效监控SiGe基区电阻，这一测试结构可直观地对SiGe HBT的主要工艺过程进行监控，及时发现并解决问题。