具有共形氧化物层的鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种示例性鳍式场效应晶体管(finFET)，包括：具有沟道区的半导体鳍以及位于沟道区的侧壁和顶面上的栅极氧化物。栅极氧化物包括：具有第一厚度的最薄部分和具有与第一厚度不同的第二厚度的最厚部分。第一厚度和第二厚度之间的差值小于最大厚度变化并且最大厚度变化取决于finFET的工作电压。本发明涉及具有共形氧化物层的鳍式场效应晶体管及其形成方法。