机译:Al X Ga 1-x N(x> 0.4)通道金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管具有高k原子层沉积栅极氧化物的高温操作
机译:具有高k原子层沉积栅极氧化物的Al_xGa_(1-x)N(x> 0.4)沟道金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管的高温操作
机译:高性能GaAs基金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管,原子层沉积Al_2O_3栅氧化物并通过有机金属化学气相沉积原位钝化AlN
机译:铟浓度对原子层沉积栅极电介质的InGaAs沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:高k HfAlO栅极介电层的原子层沉积(ALD)功能增强了AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)的性能
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:互补金属氧化物半导体图像传感器使用栅极/体绑住的P沟道金属氧化物半导体效果晶体管型光电探测器,用于高速二进制操作
机译:InxGa1-xsb沟道p-金属氧化物半导体场效应晶体管:应变和异质结构设计的影响