法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-07
授权
授权
2017-09-22
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/54 申请日:20140409
实质审查的生效
2017-09-22
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/54 申请日:20140409
实质审查的生效
2017-08-29
公开
公开
2017-08-29
公开
公开
2017-08-29
公开
公开
查看全部
机译: 表面超薄有机晶体层的外延生长方法及其应用
机译: 表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译: 表面上超薄有机晶体层的生长方法及其应用