一种量测晶体管自热效应及沟道平均温度变化的方法

摘要

本发明公开了一种量测晶体管自热效应及沟道平均温度变化的方法，包括确定自热效应产热的热饱和时间和关断后这些热量完全消除的散热时间,提取晶体管开启时沟道平均温度随时间的变化,以及描绘晶体管“沟道平均温度‑漏极电压‑漏极电流”的三维特性关系，用于提取随时间瞬态变化的热容和热阻，以建立准确的、符合实际电路情况的SPICE模型，可适用于以硅、锗、Ⅲ‑Ⅴ族化合物为载流子沟道的高性能平面晶体管，以及鳍式立体栅极、环栅(GAA)结构的场效应晶体管。本发明方法通过直接量测晶体管的电学特性，定量表征自热效应对漏极电流的影响，用以建立与自热效应的相关的准确的SPICE模型。