准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及其生长方法

摘要

本发明揭示大面积高质量高热导率的准氮化铝生长衬底和准氮化镓基生长衬底及其在氮化铝陶瓷片上生长的技术和工艺。由此得到的生长衬底可以减小氮化镓基外延层和生长衬底之间的晶格常数和热胀系数的差别，具有优良的热导率，可以应用于低成本的生长高质量大功率的半导体氮化镓基发光二极管和铝镓氮-氮化镓基高电子迁移率晶体管(HEMT)等半导体芯片和器件。该技术和工艺的主要技术方案如下：中间媒介层(包括铝和钛等)层叠在氮化铝陶瓷生长衬底上，中间媒介层的表面层氮化成为氮化层(包括氮化铝和氮化钛等)，氮化铝外延层生长在氮化层上，氮化铝外延层和氮化铝陶瓷生长衬底构成准氮化铝生长衬底。在氮化铝层上进一步生长氮化镓基外延层，构成准氮化镓基生长衬底。