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硅衬底上高质量氮化铝的GSMBE生长及表征

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用NH3作气源的MBE法在Si(111)和Si(100)衬底上外延生长了高质量的AIN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积A1以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍射)、AFM(原子力显微镜)等分析手段对外延层进行了结晶性和表面形貌的表征,证实了A1N外延层具有较高的质量.

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来源
《中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会》|2002年|820-823|共4页
会议地点合肥
作者
罗木昌; 孙殿照; 曾一平; 林兰英; 王晓亮; 刘宏新; 王雷; 李晋闽; 孙国胜; 张小平; 潘华勇; 胡国新;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
分子束外延; 氮化铝; 硅衬底; XRD; X射线双晶衍射;

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