公开/公告号CN105340097B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-05-10
原文格式PDF
申请/专利权人 诺瓦尔德股份有限公司;
申请/专利号CN201480023257.7
申请日2014-04-15
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人王潜
地址 德国德累斯顿
入库时间 2022-08-23 10:31:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-10
授权
授权
2016-03-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/05 申请日:20140415
实质审查的生效
2016-03-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20140415
实质审查的生效
2016-02-17
公开
公开
2016-02-17
公开
公开
机译: 集成电路形成的有机场效应晶体管(OFET),由有机场效应晶体管制造有机场效应晶体管的方法以及集成电路的用途
机译: 制造垂直有机场效应晶体管和垂直有机场效应晶体管的方法
机译: 垂直有机场效应晶体管的制造方法以及垂直有机场效应晶体管