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单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法

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摘要

本发明公开了一种单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法包括以下步骤：S1，单斜相二氧化钒点缺陷模型的构建；S2，缺陷形成能的计算模拟；S3，结果处理与分析。本发明明确了二氧化钒本征点缺陷与氧分压的关系，通过高通量模拟表征点缺陷的原子微结构和电子行为，对增强VO

1. 单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法 [P] . 中国专利： CN106446493B . 2019.04.16
2. 单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法 [P] . 中国专利： CN106446493A . 2017-02-22
3. Monoclinic type vanadium dioxide thin film manufacturing equipment, monoclinic type vanadium dioxide thin film manufacturing method, the switching element manufacturing method, and the switching element [P] . 日本专利： JP4859104B2 . 2012-01-25

机译：单斜型二氧化钒薄膜制造设备，单斜型二氧化钒薄膜制造方法，开关元件的制造方法以及开关元件
4. POINT DEFECT SIMULATOR, POINT DEFECT SIMULATION PROGRAM, POINT DEFECT SIMULATION METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE [P] . WO2021084843A1 . 2021-05-06

机译：点缺陷模拟器，点缺陷仿真程序，点缺陷仿真方法，制造硅单晶的方法，以及单晶拉动装置
5. Logarithmic single-slope analog digital convertor, Image sensor device and Thermometer using the same, and Method for logarithmic single-slope analog digital converting [P] . 韩国专利： KR101117216B1 . 2012-03-16

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