具有适应性写操作的非易失性存储器(NVM)

摘要

具有适应性写操作的非易失性存储器(NVM)。对存储阵列的存储单元执行写操作的方法包括：根据第一预定缓变率，在所述存储单元上应用所述写操作的第一多个脉冲，其中所述第一多个脉冲是预定数量的脉冲；执行所述存储单元的子集的阈值电压与中间验证电压的对比；以及如果存储单元的任何所述子集的阈值电压未通过与所述中间验证电压的对比，根据与所述第一预定缓变率相比具有增大的缓变率的第二预定缓变率，通过在所述存储单元上应用第二多个脉冲继续所述写操作。