公开/公告号CN106435522B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-12
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第四十八研究所;
申请/专利号CN201610852529.5
申请日2016-09-27
分类号C23C16/40(20060101);C23C16/517(20060101);H01L31/0216(20140101);H01L31/18(20060101);
代理机构43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙);
代理人周长清;张鲜
地址 410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号
入库时间 2022-08-23 10:29:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-12
授权
授权
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/40 申请日:20160927
实质审查的生效
2017-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/40 申请日:20160927
实质审查的生效
2017-02-22
公开
公开
2017-02-22
公开
公开
机译: 用于制造晶圆太阳能电池和在线PECVD工厂的半导体晶圆上等离子增强氧化铝薄层沉积的方法
机译: 硅膜沉积工艺和使用硅膜沉积工艺制造设备的工艺
机译: 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积共形非晶碳膜的方法