PECVD法沉积a-SiOx:H层钝化N-型晶体硅表面的研究

摘要

N 型晶体硅片表面的钝化层是高效HIT 太阳电池的关键技术所在.本研究在优化的a-Si:H 薄膜钝化的基础上,进一步探索a-SiOx:H 薄膜对N 型晶体硅片表面的钝化效果的改进.rn 采用4*4cm2的N 型cz-Si 片(厚度150mm,体少子寿命约1~2ms)为衬底,PECVD 法,SiH4作Si 源,CO2 作O 源,H2 作载气,研究CO2：SiH4 流量比、沉积气压等对晶体硅片表面的钝化效果的影响.采用m-PCD 法(Semilab,WT-2000PV)对双面钝化后的硅片的少子寿命进行测试表征.研究结果表明：随CO2:SiH4 流量比的增加,表面钝化效果明显提高,当CO2:SiH4=2.1:3时达到最优值639μs.在此基础上继续对沉积气压进行优化,沉积气压为35Pa时,获得最高少子寿命测试值712μs,此时硅片表面复合速率低至3.0cm/s.