存储单元阵列位线的制法、存储单元阵列及其制造方法

摘要

一种制造存储器单元阵列位线的方法包括提供一种层结构，其包括基材(其具植入于其表面的晶体管井)的步骤做为第一步骤、为氧化物-氮化物-氧化物层序列且在该基材的表面提供的储存介质层序列、及在该储存介质层序列上提供的栅极区域层，位线凹槽，其在该栅极区域层制造，该位线凹槽向下延伸至该储存介质层序列，接着，在完全移除该储存介质层序列后，绝缘间隔物层在该位线凹槽的侧边表面上被制造，于此源极/漏极植入在该位线凹槽的区域内执行，之后，若此未在植入前被完成，则该基材被完全曝露在该位线凹槽的区域内。接着，金属化以在露出的基材上制造金属位线，该金属化由该绝缘间隔物层与该栅极区域层绝缘。