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【2h】

Static and Dynamic Behavior of Memory Cell Array Opens and Shorts in Embedded DRAMs

机译：嵌入式DRam中存储单元阵列的静态和动态行为

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Zaid Al-ars; Ad J. Goor;
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年度 2014
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3. A Memory Using One-Transistor Gain Cell on SOI (FBC) with Performance Suitable for Embedded DRAM's - measurement Results of Cell Characteristics and Memory Performance [J] . Takashi Ohsawa, Tomoki Higashi, Katsuyuki Fujita, 電子情報通信学会技術研究報告. シリコン材料·デバイス. Silicon Devices and Materials . 2003,第260期

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