具有改进的静电放电耐压的半导体装置

摘要

一种半导体装置，具有一与每一外部接线端相对应的外部ESD保护电路，该外部ESD保护电路在外部接线端的周围区域形成。该外部ESD保护电路释放源于外部接线端的静压，且避免了半导体内部电路的损坏。因此，该半导体装置的ESD耐压得以改善。