首页> 中国专利> 单芯片硅集成三轴高频宽高冲击加速度计及其制作方法

单芯片硅集成三轴高频宽高冲击加速度计及其制作方法

摘要

本发明提供一种单芯片硅集成三轴高频宽高冲击加速度计及其制作方法。通过使用一对质量块、第一直拉直压梁、第二直拉直压梁、第一连接板及第二连接板的组合作为Z轴微机械敏感结构单元,将垂直表面Z轴加速度引起的结构形变转化为易于检测的表面内直拉直压梁的拉压,解决了目前垂直表面Z轴加速计不能同时获得高灵敏度及高谐振频率这一问题。综合考虑晶向对各向异性腐蚀、压阻系数等影响,优化结构布局,实现了小芯片上三轴高频宽高冲击加速度计的集成。提供了一套可靠的制作方法,使加速度计同时具备工艺简单、制造成本低廉、芯片尺寸小、结构强度高、适于批量生产等优势。

著录项

  • 公开/公告号CN106053881B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201610703474.1

  • 发明设计人 李昕欣;邹宏硕;王家畴;

    申请日2016-08-22

  • 分类号

  • 代理机构上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人余明伟

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2022-08-23 10:27:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-01

    授权

    授权

  • 2016-11-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01P15/08 申请日:20160822

    实质审查的生效

  • 2016-11-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01P 15/08 申请日:20160822

    实质审查的生效

  • 2016-10-26

    公开

    公开

  • 2016-10-26

    公开

    公开

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