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在紫外微光刻术中修正固有双折射的方法和系统

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摘要

提供改进的修正固有双折射的系统和方法。两对光学元件修正光学材料的固有双折射。该组光学元件的设计标准组合用于修正固有双折射，包括：折射本领类型，固有双折射符号，和晶轴转动。

公开/公告号CN1325956C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-07-11

原文格式PDF
申请/专利权人 ASML控股股份有限公司;
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申请/专利号CN03801232.4
发明设计人哈瑞·休厄尔;
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申请日2003-08-04
分类号G02B13/14(20060101);G02B1/02(20060101);G03F7/20(20060101);G02B7/00(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人蒋世迅
地址荷兰费尔德霍芬
入库时间 2022-08-23 08:59:31

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-07-19

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02B 13/14 授权公告日:20070711 终止日期:20180804 申请日:20030804

专利权的终止
2007-07-11

授权

授权
2007-07-11

授权

授权
2005-03-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-03-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-01-12

公开

公开
2005-01-12

公开

公开

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1. 在紫外微光刻术中修正固有双折射的方法和系统 [P] . 中国专利： CN1325956C . 2007.07.11
2. 特别用于极远紫外(EUV)光刻术中的发光系统 [P] . 中国专利： CN1650234A . 2005-08-03
3. METHOD AND SYSTEM FOR CORRECTION OF INTRINSIC BIREFRINGENCE IN UV MICROLITHOGRAPHY [P] . 韩国专利： KR100674515B1 . 2007-01-26

机译：紫外显微照相术中固有双折射的校正方法和系统
4. METHOD AND SYSTEM FOR CORRECTION OF INTRINSIC BIREFRINGENCE IN UV MICROLITHOGRAPHY [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1527364A1 . 2005-05-04

机译：紫外显微照相术中固有双折射的校正方法和系统
5. METHOD AND SYSTEM FOR CORRECTION OF INTRINSIC BIREFRINGENCE IN UV MICROLITHOGRAPHY [P] . 韩国专利： KR20040094389A . 2004-11-09

机译：紫外显微照相术中固有双折射的校正方法和系统