首页> 中国专利> 一种超导体-绝缘体-金属异质二维晶态薄膜材料及其制备方法

一种超导体-绝缘体-金属异质二维晶态薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种超导体‑绝缘体‑金属异质薄膜材料为层状结构,包括金属铪基底层、五碲化铪膜结构层和三碲化铪膜结构层,该层状结构在二维平面内扩展。制备方法:在真空环境下,将适量高纯度碲蒸发沉积到过渡金属铪基底表面;进行退火处理,以使沉积的碲原子和所述基底上的金属铪原子相互作用形成五碲化铪二维有序晶态膜状结构;进一步退火处理,使形成的所述五碲化铪二维有序晶态膜状结构的表面再次发生结构变化形成三碲化铪,最终形成三碲化铪‑五碲化铪‑金属铪二维叠层结构,得到超导体‑绝缘体‑金属异质薄膜材料。制备工艺相对简单,获得的异质结构薄膜缺陷少,界面不易被污染,提高了异质结构薄膜的品质。

著录项

  • 公开/公告号CN106702320B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-02-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN201510779021.2

  • 发明设计人 王业亮;

    申请日2015-11-13

  • 分类号

  • 代理机构北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人胡剑辉

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村南三街八号

  • 入库时间 2022-08-23 10:26:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-05

    授权

    授权

  • 2017-06-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20151113

    实质审查的生效

  • 2017-06-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/06 申请日:20151113

    实质审查的生效

  • 2017-05-24

    公开

    公开

  • 2017-05-24

    公开

    公开

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