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用于改进非易失性存储器的读操作和写操作的低电阻位线和源线装置

摘要

描述的是用于改善读裕度和写裕度的装置。所述装置包括:源线;第一位线;电阻式存储器单元的列,所述列中的每一个电阻式存储器单元在一端耦合到源线,并且在另一端耦合到第一位线;和第二位线,其平行于所述第一位线,所述第二位线在电阻式存储器单元的位线上对读和写操作进行解耦合。还描述了一种装置,其包括:源线;位线;电阻式存储器单元的列,所述列中的每一个电阻式存储器单元在一端耦合到源线并且在另一端耦合到位线;以及耦合到所述位线和所述源线的源线写驱动器,其中,所述源线写驱动器沿电阻式存储器单元的列分布。

著录项

  • 公开/公告号CN104599713B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201410686705.3

  • 申请日2014-09-26

  • 分类号

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人刘瑜

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 10:26:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-19

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/06 申请日:20140926

    实质审查的生效

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/06 申请日:20140926

    实质审查的生效

  • 2015-05-06

    公开

    公开

  • 2015-05-06

    公开

    公开

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