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【2h】

Differential Read/Write 7T SRAM With Bit-Interleaved Structure for Near-Threshold Operation

机译：具有位交错结构的差分读/写7T SRAM，用于近阈值操作

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作者
Ji Sang Oh; Juhyun Park; Keonhee Cho; Tae Woo Oh; Seong-Ook Jung;
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作者单位

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年度 2021
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专利

1. A near-threshold 7T SRAM cell with high write and read margins and low write time for sub-20 nm FinFET technologies [J] . Ansari Mohammad, Afzali-Kusha Hassan, Ebrahimi Behzad, Integration . 2015,第juna期

机译：接近阈值的7T SRAM单元，具有亚20纳米FinFET技术的高读写容限和低写入时间
2. A 256-kb 9T Near-Threshold SRAM With 1k Cells per Bitline and Enhanced Write and Read Operations [J] . Pasandi Ghasem, Fakhraie Sied Mehdi Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions on . 2015,第11期

机译：256-kb 9T近阈值SRAM，每个位线具有1k单元，并具有增强的读写操作
3. A near-threshold 10T differential SRAM cell with high read and write margins for tri-gated FinFET technology [J] . Limachia Mitesh, Thakker Rajesh, Kothari Nikhil Integration . 2018,第MARa期

机译：接近阈值的10T差分SRAM单元，具有三门Finfin技术的高读写余量
4. A 0.3V 15.6MHz 7T SRAM with Boosted Write and Read Worldlines [C] . Mohammad AL-Fayyad, Khaldoon Abugharbieh IEEE Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering . 2020

机译：具有增强的读写能力的0.3V 15.6MHz 7T SRAM
5. Local-spin algorithms for variants of mutual exclusion using read and write operations. [D] . Danek, Robert. 2011

机译：使用读写操作的互斥变量的局部旋转算法。
6. Demonstration of a pseudo-magnetization based simultaneous write and read operation in a Co60Fe20B20/Pb(Mg1/3Nb2/3)0.7Ti0.3O3 heterostructure [O] . Tingting Shen, Vaibhav Ostwal, Kerem Y. Camsari, -1

机译：在Co60Fe20B20 / Pb（Mg1 / 3Nb2 / 3）0.7Ti0.3O3异质结构中基于伪磁化的同时写入和读取操作演示
7. A Novel 7T SRAM Cell Layout Design with Low Average Power in Read and Write Cycles [O] . Abhishek Jain, Braj Bihari 2017

机译：一种新的7T SRAM单元布局设计，读取和写入周期的平均功率低
8. Nonvolatile Memory Vertical Ring Bit and Write-Read Structure. [R] . Sundstrom, L. 2004

机译：非易失性存储器垂直环位和写 - 读结构。

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