氧化硅层蚀刻液

摘要

本发明涉及包含如下成分的氧化硅层蚀刻液：氟化合物、具有2个以上的磺酸基的磺酸化合物或其盐、以及水。本发明所述的蚀刻液在维持对氧化硅层的蚀刻速度的同时，降低作为像素电极下部绝缘膜的氮化硅层的蚀刻速度，以使氮化层的损失最小化，保护下部膜，并使更薄的氮化层结构变得可行，从而减少在制造半导体时出现的缺陷，使得能够形成更加精细化的半导体结构。