首页> 外国专利> etching solution for the selective etching of silicon dioxide and phosphate glass layers on half conductor bodies and the use of the solution to be cleaned etching of half conductor bodies

etching solution for the selective etching of silicon dioxide and phosphate glass layers on half conductor bodies and the use of the solution to be cleaned etching of half conductor bodies

机译:蚀刻液,用于选择性蚀刻半导体上的二氧化硅和磷酸盐玻璃层,以及使用待清洗的溶液蚀刻半导体

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号DE1621477A1

    专利类型

  • 公开/公告日1971-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE19671621477

  • 发明设计人

    申请日1967-12-27

  • 分类号H01L7/00;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 09:50:01

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