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蚀刻方法,以及制造半导体基板产品的方法和使用所述半导体基板产品的半导体器件,以及用于制备蚀刻液的套件

摘要

一种蚀刻半导体基板的方法,所述方法包括以下步骤:通过将第一液体与第二液体混合以在8.5至14的pH范围内制备蚀刻液,所述第一液体含有碱性化合物,所述第二液体含有氧化剂;并且之后适时地将所述蚀刻液涂布到半导体基板,用于蚀刻所述半导体基板之中或之上的含Ti层。

著录项

  • 公开/公告号CN104412371A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士胶片株式会社;

    申请/专利号CN201380035304.5

  • 申请日2013-07-17

  • 分类号H01L21/306;H01L21/308;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人牛海军

  • 地址 日本国东京都

  • 入库时间 2023-12-18 08:15:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-13

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/306 申请公布日:20150311 申请日:20130717

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-04-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/306 申请日:20130717

    实质审查的生效

  • 2015-03-11

    公开

    公开

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