法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-13
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/306 申请公布日:20150311 申请日:20130717
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-04-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/306 申请日:20130717
实质审查的生效
2015-03-11
公开
公开
机译: 蚀刻方法,使用该方法制造半导体基板产品和半导体装置的方法以及用于制备蚀刻液的套件
机译: 蚀刻方法,使用该方法制造半导体基板产品和半导体装置的方法以及用于制备蚀刻液的套件
机译: 蚀刻方法,使用该方法制造半导体基板产品和半导体装置的方法以及用于制备蚀刻液的套件