公开/公告号CN105390441B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-05
原文格式PDF
申请/专利权人 上海集成电路研发中心有限公司;
申请/专利号CN201510837392.1
发明设计人 王伟军;
申请日2015-11-26
分类号
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴世华
地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
入库时间 2022-08-23 10:25:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-05
授权
授权
2016-04-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20151126
实质审查的生效
2016-04-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20151126
实质审查的生效
2016-03-09
公开
公开
2016-03-09
公开
公开
机译: 用于在低介电常数布线层中形成贯穿衬底的通孔图案的低介电常数介电保护隔离物
机译: 用于在低介电常数布线层中形成贯穿衬底的通孔图案的低介电常数介电保护隔离物
机译: 具有改善的与通孔填充材料的相容性的用于集成电路结构的低介电常数氧化硅基介电层及其制造方法