基于版图邻近效应的统计模型的建模方法

摘要

本发明提供了一种基于版图邻近效应的统计模型的建模方法，包括：建立MOS器件的基础模型；根据所要采用的LPE效应的种类，针对不同尺寸器件变换LPE效应对应的版图因子，生成对应的非标准版图；对上述各非标准版图器件进行Mapping测试，得到阈值电压和漏极电流的各测试值并计算其均值，基于均值建立由LPE效应带来的器件性能指标偏移的LPE模型；根据上述的Mapping测试得到的测试值，求取阈值电压和漏极电流的统计分布；根据所采用的LPE效应的种类，修正基础模型中阈值电压和迁移率参数及其bin参数的标准差参数，建立考虑LPE效应带来的器件性能波动的MOS器件统计模型。本发明针对不同的LPE效应可独立分析和建模，使模型拟合的过程清晰和快速。