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提高晶圆强度和背面金属与硅粘附强度的晶圆制备方法

摘要

提高晶圆强度和背面金属与硅粘附强度的晶圆制备方法,涉及半导体晶圆技术领域,解决现有方法存在晶面背面损伤层过大,晶圆强度不足,碎片率高和背面金属粘附强度差进而出现掉金属等问题,首先,对减薄后的芯片进行背面喷砂,获得待腐蚀芯片;对获得的芯片放入酸槽,采用浓酸腐蚀液进行背面腐蚀,腐蚀后冲水、甩干,获得腐蚀后的芯片;所述浓酸腐蚀液的体积比例为,硝酸:冰乙酸:水:HF=16000:800:8000:2000;芯片进行背面金属淀积:采用蒸发台进行芯片背面金属蒸发;各层金属及厚度分别为V:NI:AG=400埃:8000埃:12000埃。本发明所述的方法降低减薄腐蚀后存在的芯片强度不足,提高金属粘附性。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-11

    授权

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  • 2017-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B33/10 申请日:20160831

    实质审查的生效

  • 2017-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 33/10 申请日:20160831

    实质审查的生效

  • 2017-02-01

    公开

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  • 2017-02-01

    公开

    公开

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