法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-11
授权
授权
2017-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B33/10 申请日:20160831
实质审查的生效
2017-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 33/10 申请日:20160831
实质审查的生效
2017-02-01
公开
公开
2017-02-01
公开
公开
机译: 配方设计可防止在晶圆背面具有多晶硅的晶圆防止在晶圆背面镀钨(W)
机译: 处理薄半导体晶圆的步骤包括:热处理晶圆的背面,施加金属基粘合覆盖层,使背面基板与形成导电面的晶圆等接触。
机译: 在芯片制造过程中使用的提高半导体芯片断裂强度的方法,该方法包括在晶圆背面上涂覆涂层,以保护芯片免受物理或化学作用的影响,涂层厚度较大