公开/公告号CN103022046B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-15
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡来燕微电子有限公司;
申请/专利号CN201210580762.4
发明设计人 不公告发明人;
申请日2012-12-28
分类号H01L27/11521(20170101);H01L27/11526(20170101);H01L29/423(20060101);
代理机构32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙);
代理人曹祖良
地址 214028 江苏省无锡市无锡新区长江路21-1号无锡国家集成电路设计院(创源大厦)208-3、208-4室
入库时间 2022-08-23 10:24:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-05
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L27/11521 变更前: 变更后: 申请日:20121228
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2019-05-31
专利权的转移 IPC(主分类):H01L27/11521 登记生效日:20190513 变更前: 变更后: 申请日:20121228
专利申请权、专利权的转移
2019-05-31
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/11521 登记生效日:20190513 变更前: 变更后: 申请日:20121228
专利申请权、专利权的转移
2019-01-15
授权
授权
2019-01-15
授权
授权
2019-01-15
授权
授权
2015-11-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/115 申请日:20121228
实质审查的生效
2015-11-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/115 申请日:20121228
实质审查的生效
2015-11-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/115 申请日:20121228
实质审查的生效
2015-11-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20121228
实质审查的生效
2013-04-03
公开
公开
2013-04-03
公开
公开
2013-04-03
公开
公开
2013-04-03
公开
公开
查看全部
机译: 嵌入的非挥发性记忆体,具有单层多晶硅记忆体,可通过带到带的隧道擦除,并通过热电子和可编程的FOWLER-NORDHEIM隧道进行擦除
机译: 有机-无机纳米非挥发性记忆体电容器,有机-无机纳米非挥发性记忆体晶体管及其制备方法
机译: 有机-无机纳米非挥发性记忆体电容器,有机-无机纳米非挥发性记忆体晶体管及其制备方法