基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法

摘要

本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法，其实现步骤为：1.对GeOI晶圆进行清洗，并进行He离子注入；2.在离子注入后的GeOI晶圆顶层Ge层上淀积‑1GPa以上的压应力SiN薄膜或1GPa以上的张应力SiN薄膜，并刻蚀SiN薄膜成条形阵列；3.对带有SiN薄膜阵列的GeOI晶圆进行退火；4.腐蚀去除GeOI晶圆表面上的SiN薄膜阵列，得到晶圆级单轴应变GeOI材料。本发明利用AlN埋绝缘层在条形SiN薄膜阵列作用下的单轴拉伸或单轴压缩塑性形变在顶层Ge层引入应变，可用于制作高温、大功耗、高功率集成电路所需的GeOI晶圆。