机译:带有SiGe应力源的短通道应变Ge n型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管在Ge衬底上产生超过1%的单轴拉伸应变
MIRAI-Tosbiba, 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, Japan;
MIRAI-Tosbiba, 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, Japan;
MIRAI-Tosbiba, 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, Japan;
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strained Ge; uniaxial strain; anisotropic etching; embedded SiGe stressor; Ge Nmisfet;
机译:通过在选择性应变的Ge-nMOSFET的湿化学凹陷区域上选择性生长的SiGe应力源在Ge衬底上引入局部拉伸应变
机译:SiGe源极和漏极的45 nm p型金属氧化物半导体场效应晶体管中SiGe的窄宽和长度依赖性以及黄道孤立应力引起的缺陷
机译:衬底应变和电应力对应变Si / Si0.81Ge0.19 n型金属氧化物半导体场效应晶体管中晶格动力学,缺陷和陷阱的影响
机译:在双轴应变GeOI衬底上形成的单轴拉伸应力Ge n-FinFET的性能研究及其对Ge CMOS反相器的影响
机译:低功率隧道场效应晶体管的混合As / Sb和拉伸应变的Ge / InGaAs异质结构
机译:单轴拉伸应变诱导n型BiCuOCh(Ch = SeS)中热电性能的增强:第一个原理研究
机译:通过SIN接触蚀刻静止层和凹陷的SiGE源和排水管在单轴紧张的晶体管中添加应变