公开/公告号CN105977351B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-08
原文格式PDF
申请/专利权人 合肥彩虹蓝光科技有限公司;
申请/专利号CN201610373575.7
申请日2016-05-26
分类号
代理机构合肥东邦滋原专利代理事务所(普通合伙);
代理人张海燕
地址 230012 安徽省合肥市新站区工业园内
入库时间 2022-08-23 10:23:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-08
授权
授权
2017-04-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20160526
实质审查的生效
2017-04-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20160526
实质审查的生效
2016-09-28
公开
公开
2016-09-28
公开
公开
机译: 半导体膜,一种制造膜的方法,一种包括通过将非晶体半导体膜结晶化为有源区域而将晶体半导体膜用作有源区的薄膜晶体管的方法以及一种方法
机译: 有源区域,包括在SI衬底上生长的矩阵晶体中的纳米点(也称为“量子点”),并由ZINCBLENDE组成(也称为立方)AL Y Sub> IN X Sub> GA 1-YX Sub> N晶体(Y≥0,X> 0)和使用相同的发光器件(LED和LD)
机译: 以及一种具有横向生长有源区的氮化物基晶体管的制造方法