具双层硅化物结构的半导体器件

摘要

一种具双层硅化物结构的半导体器件及其制造方法在后续的热处理过程中均质地保持硅化钛表面以改进硅化钛在高温下的稳定性。双层硅化物是多晶硅上淀积硅化物形成温度为预定的第一温度的金属形成第一金属硅化物层，并淀积硅化物形成温度为低于第一温度的第二温度的金属形成第二金属硅化物层，从而大大改善了由硅化钛构成的传统半导体器件在后续的热处理过程中出现的不稳定性，避免了晶粒生长型性变形和凝聚等现象。