首页> 中国专利> CMOS全集成Ka波段全射频结构相控阵抗干扰接收前端

CMOS全集成Ka波段全射频结构相控阵抗干扰接收前端

摘要

本发明公开了一种CMOS全集成Ka波段全射频结构相控阵抗干扰接收前端,其包括:四路结构相同具有独立移相的接收前端链路及一个信号合成器,其每一接收前端链路包括:低噪声放大器LAN、无源移相器PS及增益补偿放大器AMP;通过四路可对信号相位独立调节的接收前端链路,能够在信号合成器输出端口得到指定方向信号,并对旁瓣信号进行衰减,提供较好的抗干扰性能。整个接收前端在26‑29GHz频段内增益20dB,噪声小于6dB,输入输出反射系数小于‑10dB,1.8V电压下功耗120mW。

著录项

  • 公开/公告号CN106374944B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华东师范大学;

    申请/专利号CN201610754921.6

  • 发明设计人 张润曦;石春琦;沈天宇;

    申请日2016-08-30

  • 分类号

  • 代理机构上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人徐筱梅

  • 地址 200241 上海市闵行区东川路500号

  • 入库时间 2022-08-23 10:22:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-14

    授权

    授权

  • 2017-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04B1/12 申请日:20160830

    实质审查的生效

  • 2017-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04B 1/12 申请日:20160830

    实质审查的生效

  • 2017-02-01

    公开

    公开

  • 2017-02-01

    公开

    公开

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