公开/公告号CN1322176C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-06-20
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海光学精密机械研究所;
申请/专利号CN200410066748.8
申请日2004-09-28
分类号C30B23/02(20060101);C30B23/06(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/35(20060101);H01L33/00(20060101);
代理机构31213 上海新天专利代理有限公司;
代理人张泽纯
地址 201800 上海市800-211邮政信箱
入库时间 2022-08-23 08:59:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-12-07
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 23/02 授权公告日:20070620 终止日期:20100928 申请日:20040928
专利权的终止
2007-06-20
授权
授权
2005-07-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-05-11
公开
公开
机译: 在单晶硅衬底中制造空腔的方法以及在具有外延覆盖层的单晶硅衬底中具有空腔的半导体部件
机译: 具有单晶覆盖层的单晶硅衬底中空穴的制造方法以及具有单腔硅衬底中空穴的半导体模块
机译: 在单晶硅衬底中形成空腔的方法以及在具有外延覆盖层的单晶硅衬底中具有空腔的半导体器件