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机译:使用(100)LiAlO2衬底生长和表征单晶氮化镓
Univ Florida, Dept Chem Engn, Gainesville, FL 32611 USA;
characterization; substrates; hydride vapor-phase epitaxy; GaN; semiconducting III-V materials; M-PLANE GAN(1(1)OVER-BAR-00); PHASE EPITAXY; STRAIN RELIEF; GAN FILMS; GAMMA-LIALO2(100);
机译:(100)-γ-LiAlO2衬底上异质外延的m平面(101_0)InN:生长方向控制以及结构和光学各向异性的表征
机译:单晶氮化镓微主轴:合成,表征和热稳定性
机译:脉冲激光沉积在(100)和(001)γ-LiAlO2 sub>衬底上外延生长ZnO薄膜
机译:单晶氮化铝纳米线的催化生长与表征
机译:镓酸锂衬底上氮化镓和氮化铝镓/氮化镓异质场效应晶体管(HFET)的外延生长。
机译:在γ-LiAlO2(100)衬底上生长的M平面GaN薄膜的生长和表征
机译:在γ-LiAlo2(100)基板上生长的M平面GaN薄膜的生长和表征
机译:模拟氮化铝(alN)衬底上生长的氮化铝镓((al)GaN)薄膜的生长