用于减少高浓度外延工艺中的位错缺陷的方法和系统

摘要

提供了利用半导体材料的应力以改善器件性能的半导体器件，该半导体器件包括半导体结和半导体场效应晶体管。还描述了用于制作半导体结构的方法。提供了嵌入在半导体基底中的没有位错缺陷的外延生长的结构。该外延结构可延伸超出半导体基底的表面并终结于面状结构。该外延结构是使用在相邻层之间提供连续转换的多层生长工艺来形成的。