Mississippi State University, Box 9571, Mississippi State, MS 39762, USA;
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low-temperature epitaxial growth; selective epitaxial growth; halo-carbon; chloromethane; dislocations; KOH; etch pits; triangular defects; CH_3CI; HCI;
机译:4H-SiC低温卤代碳同质外延生长中的三角形缺陷
机译:使用卤碳前体在降低的温度下选择性外延生长4H-SiC
机译:低温卤碳法生长的重掺杂Al 4H-SiC外延层中缺陷的产生
机译:卤碳法低温选择性外延生长4H-SiC时的局部加载效应
机译:通过低温化学气相沉积在硅上选择性外延生长碳化硅。
机译:集成选择性外延生长和选择性湿法刻蚀制造高质量和应变松弛的GeSn微盘
机译:外延层转移晶片外延生长引起的表面和散装缺陷的性质
机译:alGaN外延层生长的alN模板中漏斗缺陷内的不稳定位错