机译:氮掺杂直拉生长硅衬底上外延层的晶体缺陷(Ⅱ)“通过控制晶体生长条件和碳共掺杂抑制外延层中的晶体缺陷”
机译:结合离子束混合的离子束诱导外延结晶在氢终止的Si(001)表面上形成的沉积非晶Si层的外延生长
机译:表面C / Si比对高速晶圆旋转垂直CVD生长的4H-SiC同质外延膜的晶圆内均匀度和缺陷密度的影响
机译:低缺陷SiGe缓冲层的外延生长,用于将新材料整合在300mm硅晶片上
机译:研究碳化硅的外延层和块状晶体的生长过程和缺陷形成。
机译:低压对4H-SiC外延层表面粗糙度和形貌缺陷的影响
机译:Si晶片中外延层缺陷的微观结构分析
机译:使用超晶格缓冲层减少外延生长中的缺陷。