法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-25
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/36 授权公告日:20070523 终止日期:20150405 申请日:20050405
专利权的终止
2007-05-23
授权
授权
2005-11-02
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-09-07
公开
公开
机译: 通过在生长期间掺杂通过使用p型半极性III族氮化物半导体的p型掺杂剂,III族氮化物器件或III族氮化物半导体的制造方法,半极性III族氮化物半导体以及p型IIIa氮化物半导体的制造方法
机译: 含p型掺杂剂的氧化锌膜及其制造方法
机译: 含p型掺杂剂的氧化锌膜及其制造方法