一种基于陷阱态调控的非易失性多比特微/纳米阻变存储器及使用方法

摘要

一种基于陷阱态调控的非易失性多比特微/纳米阻变存储器及使用方法，阻变存储器包括绝缘衬底、单根Sn元素掺杂的ZnO一维微/纳米线、电极、封装材料等。单根Sn元素掺杂的ZnO一维微/纳米线置于绝缘衬底上，其两端分别焊接电极；封装材料将单根Sn元素掺杂的ZnO一维微/纳米线、电极封装在绝缘衬底上。信息写入时在两端电极之间施加写入电压。非易失性多比特存储时在两端电极之间施加写入电压，然后撤去写入电压并施加读取电压。信息擦除时在两端电极之间施加写入电压，然后撤去写入电压并施加读取电压，再置于70℃环境中，随后置于室温中。本发明实现了对电场信息的响应及存储，工艺简便、体积小、轻巧便携、兼容性好，能高效利用。