一种用于铜互连的化学机械抛光液及工艺

摘要

一种用于铜互连抛光的工艺方法，包括以下步骤：步骤A：用铜化学机械抛光液去除铜并停在阻挡层表面；步骤B：用阻挡层化学机械抛光液去除阻挡层、二氧化硅覆盖层(Cap layer)和部分铜；步骤C：用低介电材料抛光液去除部分低介电材料和部分铜。该工艺方法通过改变抛光工艺流程（1步去除铜+2步去除阻挡层/介电层），产能得到提高，通过在第三步抛光时使用低研磨颗粒含量的抛光液，可降低低介电材料(BD)的去除速率，使抛光能较好的停在低介电材料上，同时铜抛光后的碟形凹陷小且无金属残留。