氮化物半导体发光二极管芯片及其制造方法

摘要

提供了一种氮化物半导体发光二极管芯片，包括：一透明衬底(101)以及在所述衬底的上表面上形成的一氮化物半导体叠层结构(102-106)，所述氮化物半导体叠层结构包括一发光层(104)和多个其他半导体层，所述衬底(101)具有任意结晶主表面并且厚度大于120μm，由此提供从所述芯片提取光的改善的效率。所述芯片的至少一个分割平面相对于和所述衬底的主表面垂直的一平面呈角度，并且所述衬底的下表面的面积比所述氮化物半导体叠层结构的上部区域小，由此进一步改善从所述芯片提取光的效率。