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可B阶段双重固化的晶片级底层填料

摘要

一种可B阶段的底层填料沉积在活性表面上的硅晶片,一种可B阶段的底层填料,包括具有较低固化温度的第一组份和具有较高固化温度的第二组份,其特征在于第一组份已经被完全固化。

著录项

  • 公开/公告号CN1307701C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-03-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国家淀粉及化学投资控股公司;

    申请/专利号CN02824937.2

  • 发明设计人 B·马;S·H·莱曼;Q·K·童;

    申请日2002-11-19

  • 分类号H01L21/56(20060101);H01L23/29(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人顾晋伟;谭明胜

  • 地址 美国特拉华州

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-01-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/56 授权公告日:20070328 终止日期:20101119 申请日:20021119

    专利权的终止

  • 2007-03-28

    授权

    授权

  • 2005-06-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-04-06

    公开

    公开

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